“国家质量基础设施体系”重点专项 2022 年度项目申报指南
3.1 高端装备与先进制造领域NQI协同创新面向光刻机的高速超精密动态校准技术研究与应用
需求目标:针对国产光刻机整机集成时和在役工作时工作精度、性能与稳定性无法保证,亟待解决高速超精密激光干涉测量 系统动态校准和在役校准的“卡脖子”难题,研究甚多轴高速超精密激光干涉测量系统动态校准技术和在役校准技术,研制校准装置,关键技术自主可控,具有自主知识产权,具体需求目标如下:
(1)光刻机集成时的多轴高速超精密干涉测量系统动态校准 技术和装置,校准范围≥600mm,最大速度≥2m/s,不确定度 ≤1nm+2×10-9L(k=2),L为位移值。
(4) Conduct application acceptance testing at CETC and SMEE, the domestic manufacturers of advanced lithography machines. Within four years, the system will meet the calibration requirements for high-speed, ultra-precision laser interferometers used in domestic 28nm lithography machines.(2)嵌入光刻机的20轴以上高速超精密激光干涉仪系统的 在役校准技术和装置,激光波长校准的相对不确定度优于6×10-10 (k=2),分辨力≤0.2nm,不确定度≤2nm+3×10-9L(k=2),L为 位移值。
(3)制定光刻机用高速超精密激光干涉仪校准规范2项,在 国家最高计量技术机构建标,形成面向光刻机产业的有效国家测 量体系,并与国际权威计量机构进行国际比对。
(4)在国产先进光刻机研制生产单位中国电子科技集团和上 海微电子装备有限公司开展应用验收,4年内可满足国产28nm光刻机高速超精密激光干涉仪校准需求。 (5)项目完成时通过准确性和稳定性测试,并取得用户测试验收报告,平均故障间隔时间≥3000小时,技术就绪度≥8级。
时间节点:研发时限为4年,立项24个月后开展“里程碑”考核。
(5) Upon project completion, pass accuracy and stability tests and obtain user acceptance reports. Achieve a mean time between failures (MTBF) ≥ 3000 hours and a Technology Readiness Level (TRL) ≥ 8.
Timeline: The R&D period is 4 years, with a milestone assessment conducted 24 months after project initiation.